[发明专利]异质外延生长的石墨烯的脱裂与转移技术及包含其之产品有效
| 申请号： | 201080034919.2 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102713025A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 维嘉恩·S.·维拉萨米 | 申请（专利权）人： | 格尔德殿工业公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 美国密歇根州*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的某些实施例示例涉及到石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的应用。在某些实施例示例中，在催化剂薄膜上从烃气(hydrocarbon gas)(例如像C2H2、CH4或类似物)大面积的异质外延生长为石墨烯薄膜。某些实施例示例中的石墨烯薄膜可为掺杂的或无掺杂的。在某些实施例示例中，石墨烯薄膜一旦形成，便可被剥离开其载体基底从而被转移至接收基底，例如其可被并入中间产品或成品。石墨烯以这种方式地生长、剥离与转移显示出低薄膜电阻(例如低于150欧姆/平方，掺杂时更低)与高传输值(例如，至少在可见光与红外光谱范围内)的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 石墨 转移 技术 包含 产品 | ||
【主权项】：
一种分离石墨烯薄膜的方法，该方法包括：在催化剂薄膜上异质外延生长所述石墨烯薄膜；将一种聚合体基涂层设置在所述石墨烯薄膜的与所述催化剂薄膜相反的一个表面上；固化所述聚合体基涂层；及使所述石墨烯薄膜与所述聚合体基涂层从所述催化剂薄膜释放下来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格尔德殿工业公司，未经格尔德殿工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080034919.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
