[发明专利]硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备有效
| 申请号： | 201080035023.6 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102471925A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 樋口隆;堀内忠彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B35/00;F27B14/08;F27D17/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅氧化物除去装置，用以除去从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物，其特征在于，至少具备接触器具(means)及中和器具，所述接触器具使从上述单晶硅制造装置排出的惰性气体接触强碱溶液，所述中和器具中和在接触该强碱溶液后的惰性气体中所包含的碱性物质。由此，能低成本地提高从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物的除去效果，而可提供一种硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备，可有效地除去硅氧化物而再利用此惰性气体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 除去 装置 单晶硅 制造 惰性气体 回收 设备 | ||
【主权项】：
一种硅氧化物除去装置，用以除去从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物，其特征在于，至少具备接触器具及中和器具，所述接触器具使从上述单晶硅制造装置排出的惰性气体接触强碱溶液，所述中和器具中和在接触该强碱溶液后的惰性气体中所包含的碱性物质。
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