[发明专利]采用高热传导性板覆盖的LED阵列封装有效
| 申请号： | 201080035065.X | 申请日： | 2010-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102484118A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李江华;瑞内·贺比宁;胡大卫 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光源包括基板、在所述基板上的发光二极管以及在所述发光二极管上方的磷光层。板在所述磷光层上。附接部件耦接至所述板，并被配置为将热量从所述板中导出。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 高热 传导性 覆盖 led 阵列 封装 | ||
【主权项】：
一种光源，该光源包括：基板；在所述基板上的发光二极管；在所述发光二极管上方的磷光层；在所述磷光层上的板；以及附接部件，该附接部件耦接至所述板，并被配置为将热量从所述板中导出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
