[发明专利]二维和三维位置感测系统及其传感器无效

专利信息
申请号: 201080035075.3 申请日: 2010-06-16
公开(公告)号: CN102625918A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: A·尤图库里;J·克拉克;斯蒂芬·麦克费德烟 申请(专利权)人: 百安托国际有限公司
主分类号: G01S3/00 分类号: G01S3/00;G01D5/26;G01D5/48;G01S3/783;G01S5/00;G01S5/16
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;迟姗
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了二维和三维位置感测系统和用于这样的系统中的传感器。所述传感器包含线性阵列传感器和阻挡光或其它辐射到达所述传感器中的多数元件的孔板。基于每个传感器中的被照射传感器元件确定辐射源相对于传感器的方向。所述传感器在系统中组合以允许估计辐射源的位置。
搜索关键词: 维和 三维 位置 系统 及其 传感器
【主权项】:
一种估计定位在感测区域中的辐射源的方向的方法,所述方法包括:‑提供二维辐射传感器,所述辐射传感器包括:‑第一线性阵列传感器,所述第一线性阵列传感器具有线性布置的多个第一传感器元件,所述第一传感器元件面对感测区域;‑第二线性阵列传感器,所述第二线性阵列传感器具有线性布置的多个第二传感器元件,所述第二传感器元件面对所述感测区域;‑孔板,所述孔板定位在所述线性阵列传感器和所述感测区域之间以阻挡来自所述感测区域的辐射到达所述线性阵列传感器;‑第一孔,所述第一孔形成于所述孔板中以允许来自所述感测区域的辐射到达所述第一传感器元件中的一些;以及‑第二孔,所述第二孔形成于所述孔板中以允许来自所述感测区域的辐射到达所述第二传感器元件中的一些;‑接收来自所述第一线性阵列传感器的第一强度信号,其中所述第一强度信号包括对应于通过所述第一孔入射在所述第一传感器元件上的辐射的第一强度值;‑接收来自所述第二线性阵列传感器的第二强度信号,其中所述第二强度信号包括对应于通过所述第二孔入射在所述第二传感器元件上的辐射的第二强度值;以及‑基于所述第一和第二强度信号确定所述方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于百安托国际有限公司,未经百安托国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080035075.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top