[发明专利]用于对太阳能电池或太阳能电池前体等半导体结构进行测量的方法

摘要

本发明涉及一种用于测量半导体结构的方法，其中所述半导体结构具有发射器和基底并且为太阳能电池或者太阳能电池的前体，该方法包括如下步骤：A)在半导体结构中产生发光，并且对半导体结构发射的光线进行分散测量，其中，在第一测量条件a下进行第一次测量，并且至少依据由第一次测量获得的测量数据，从步骤A所获得的测量数据中确定太阳能电池多个定点xi在分散位置上的第一电压校准图Va(xi)，B)至少依据步骤A所得出的第一电压图像Va(xi)来确定半导体结构在分散位置上的暗饱和电流jo(xi)和/或分散位置上的发射层电阻p(xi)，以及/或者多个定点xi在分散位置上的局部串联电阻Rs(xi)。本发明的特征在于，在步骤A中至少另通过不同于第一测量条件a的第二测量条件b来进行第二测量，并且至少依据由第二测量获得的测量数据，从步骤A所获得的测量数据中分散测定多个定点xi的第二电压校准图Vb(xi)，而在步骤A的两次测量中，基本通过使半导体结构的平面受激辐射的方式来形成发光，第一测量和第二测量的测量条件(a，b)则在激发辐射的强度和/或光谱组成以及/或者半导体结构由于电接通而加载的给定外部电压Vext方面均不相同；除各测量条件(a，b)外，还给定和/或测量出在每种测量条件的短路条件下所通过的、与电压和定点无关的短路电流强度(jP，a，jP，b)；并且在步骤B中，至少依据每种测量条件下的短路电流强度(jP，a，jP，b)以及与电压和定点相关的暗电流强度(jD，a(xi)，jD，b(xi))，来确定每个定点xi上的局部电特性，其中，暗电流强度(jD，a(xi)，jD，b(xi))至少取决于与电压无关的暗饱和电流强度j0(xi)和由各电压图像所得出的定点xi的两个电压值(Va(xi)，Vb(xi))。

主权项

一种用于测量半导体结构的方法，其特征在于，所述半导体结构具有发射器和基底并且为太阳能电池或者太阳能电池的前体，该方法包括如下步骤：A在半导体结构中产生发光，并且对由半导体结构发射的光线进行分散测量，其中，在第一测量条件a下进行第一测量，并且至少依据由第一测量获得的测量数据，从步骤A所得出的测量数据中来分散测定太阳能电池多个定点xi的第一电压校准图Va(xi)，B至少依据步骤A所得出的第一电压图像Va(xi)，确定半导体结构在分散位置上的特性，包括分散位置上的暗饱和度电流jo(xi)，和/或分散位置上的发射层电阻p(xi)，以及/或者多个定点xi在分散位置上的局部串联电阻Rs(xi)，其特征在于，在步骤A中，至少还通过不同于第一测量条件a的第二测量条件b进行第二测量，并且至少依据第二测量获得的测量数据，从步骤A所得出的测量数据中来分散测定多个定点xi的第二电压校准图Vb(xi)，并且，在步骤A的两次测量中，‑基本通过使半导体结构平面受激辐射来产生发光，‑第一测量和第二测量的测量条件(a，b)则在激发辐射的强度和/或光谱组成以及/或者半导体由于电接通而加载的给定外部电压Vext方面均不相同，除各测量条件(a，b)外，还给定和/或测量出在每种测量条件的短路条件下所通过的、与电压和定点无关的短路电流强度(jp，a，jp，b)，并且在步骤B中，至少依据每种测量条件下的短路电流强度(jp，a，jp，b)以及与电压和定点相关的暗电流强度(jD，a(xi)，jD，b(xi))，来确定每个定点xi的局部电特性，其中，暗电流强度(jD，a(xi)，jD，b(xi))至少取决于与电压无关的暗饱和度电流强度j0(xi)和由各电压图像所得出的定点xi的两个电压值(Va(xi)，Vb(xi)。