[发明专利]碳化硅的制造方法无效
| 申请号： | 201080035321.5 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102482102A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;大崎浩美;望月正裕 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;信浓电气制炼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可将溶液或废液中的SiC或Si无排水污染地回收，制造可用作磨削剂、磨料、磨光剂的碳化硅的方法。本发明提供的碳化硅的制造方法至少包括以下步骤：把至少含有SiC微粒和/或Si微粒的溶液或废液用至少含有碳粉和氧化硅粉的分离助剂进行固液分离，得到固体成分；根据需要，把该固体成分与含有碳粉和/或氧化硅粉的添加剂混合；为得到碳化硅，把该固体成分或与添加剂混合的固体成分在非氧化性气氛中、在高于1850℃、低于2400℃进行加热反应。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：把至少含有SiC微粒和/或Si微粒的溶液或废液用至少含有碳粉和氧化硅粉的分离助剂进行固液分离，得到固体成分；根据需要，把所述固体成分与至少含有碳粉和/或氧化硅粉的添加剂混合；为得到碳化硅，把所述固体成分或与所述添加剂混合的固体成分在非氧化性气氛中、在高于1850℃、低于2400℃进行加热反应。
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