[发明专利]晶片处理薄片有效
| 申请号： | 201080035330.4 | 申请日： | 2010-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102460655A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金世罗;朱孝叔;张锡基;沈廷燮 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 黄丽娟;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于处理晶片的薄片。该薄片可以表现出优异的耐热性和尺寸稳定性，由于优异的应力松弛性能而可以防止由剩余应力引起的晶片破裂，可以抑制由非均匀压力的施加而导致的晶片损坏或裂散，并且还可以显示出优异的可切割性。所述薄片在晶片处理过程中可以有效地防止粘连现象出现。由于这些原因，所述薄片可以在各种晶片处理工艺(例如切割、背磨和拾取)中用于处理晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 薄片 | ||
【主权项】：
一种用于处理晶片的薄片，包括：基片；和防粘连层，该防粘连层在上述基片上形成且包含热固化的树脂组分或未固化的树脂组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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