[发明专利]等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

摘要

在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

主权项

一种等离子体CVD装置，具备成膜室、配设在该成膜室的被成膜基板载置用的平台部、以及以与该平台部对置的方式配设在所述成膜室的等离子体电极，其特征在于，所述等离子体电极具有：主电极部，设置有工艺气体导入孔；气体喷板部，具有用于将工艺气体吐出到所述平台部侧的多个气体吐出孔，安装于所述主电极部中的所述平台部侧，并在与该主电极部之间形成气体扩散空间；气体扩散板，具有用于所述工艺气体流通的多个气体流通孔，以与所述气体喷板部相互对置的方式配置于所述气体扩散空间内；以及多个传热柱部，配置于所述气体扩散空间内，穿过气体流通孔并将所述气体喷板部和所述主电极部热连接，在所述气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的所述传热柱部的周面之间形成有空隙。