[发明专利]具有有源载流子限制的垂直腔表面发射激光器

摘要

本发明的目的是改善VCSEL内载流子的限制。作为本发明的一般概念，提出了将光电晶体管层结构集成到VCSEL的叠层中。

主权项

一种垂直腔表面发射激光二极管器件（1），包括‑ 衬底（3）；‑ 所述衬底上的第一半导体层叠层，所述第一叠层形成第一分布式布拉格反射器（5）；‑ 有源区（7），其包括在所述第一叠层上的一个或多个量子阱层；‑ 所述有源区上的第二半导体层叠层，所述第二叠层形成第二分布式布拉格反射器（9）；‑ 第一和第二终端接触（11，13），其用于将电流注入所述有源区（7）中，所述垂直腔表面发射激光二极管器件（1）进一步包括‑ 形成分布式光电晶体管的层，所述分布式光电晶体管对所述垂直腔表面发射激光二极管（1）产生的激光敏感，形成分布式光电晶体管的所述层包括至少一个基极层（6）、至少一个发射极层和至少一个集电极层，所述至少一个基极层（6）设置在所述至少一个发射极层与所述至少一个集电极层之间，使得在垂直于所述衬底的方向上流动的电流流经所述发射极层、所述集电极层和所述基极层（6），并且其中所述基极层（6）设置在最靠近所述衬底（3）的所述第一叠层的最低层与所述第二叠层的最顶层之间。