[发明专利]氢气的再利用方法有效
申请号: | 201080035687.2 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102471056A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 秋吉彩生;相本忠 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | C01B3/52 | 分类号: | C01B3/52;B01D53/14;B01D53/68;C01B33/03 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 由多晶硅的制造工序排出的废气中的副产氯化氢已经得到有效利用。另一方面,该废气中的氢气也被部分利用,但用于使该工序中附随而吸附的氯化氢脱附而使用的吹扫氢气未利用而直接被废弃。从吹扫废气中回收高纯度的氢气,并使其作为其他制造工序中的氢源进行再利用,有助于废弃处理的成本的大幅削减以及多晶硅的制造成本的削减。使由利用了三氯硅烷的多晶硅的析出制造工序排出的废气中所含的氯化氢吸附到活性炭上后,利用氢气对该活性炭层进行吹扫,使吸附的氯化氢脱附,接着使该吹扫废气与氢氧化钠水溶液等氯化氢吸收液接触,从吹扫废气中除去氯化氢,分离回收高纯度的氢气,将该回收后的氢气压缩,作为例如气相二氧化硅制造等其他工序的氢源进行供给。 | ||
搜索关键词: | 氢气 再利用 方法 | ||
【主权项】:
一种吹扫废气中的氢气的再利用方法,其特征在于,其包括以下工序:(1)氯化氢吸附工序:使由氢气与三氯硅烷反应而制造多晶硅的工序中排出的废气通过活性炭层,从而吸附氯化氢;(2)氯化氢脱附工序:使作为吹扫气体的氢气流通吸附保持有氯化氢的活性炭层,使所吸附的氯化氢脱附;(3)氢气回收工序:使含有所述氯化氢脱附工序中脱附的氯化氢和氢气的吹扫废气与氯化氢吸收液接触,得到除去了氯化氢的氢气;和(4)氢气供给工序:将所述氢气回收工序中回收的氢气压缩,作为其他工序的氢源供给。
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