[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，可对由硅构成的被处理体形成想要的纵横比及形状的沟道或通孔。具有使用含卤化氢气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含卤化氢气体蚀刻硅基板(9)；使用含氟气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含氟气体蚀刻硅基板(9)；保护膜形成工序，其溅镀浮动电极(15)，在硅基板(9)上形成保护膜；保护膜去除工序，其将高频偏压功率施加给基板电极(8)，去除保护膜的一部分，将使用含氟气体的蚀刻工序、保护膜形成工序及保护膜去除工序以此顺序重复进行。

主权项

一种蚀刻方法，其在处理室内使等离子产生，蚀刻由设置在该处理室内的基板电极上的硅构成的被处理体，所述蚀刻方法，其特征在于包括：使用含卤化氢气体的蚀刻工序，其向所述处理室内导入含卤化氢气体，蚀刻所述被处理体；使用含氟气体的蚀刻工序，其向所述处理室内导入含氟气体，蚀刻所述被处理体；保护膜形成工序，其溅镀与所述被处理体相向设置的固体材料，在所述被处理体上形成保护膜；保护膜去除工序，其向所述基板电极施加高频偏压功率，去除所述保护膜的一部分，将所述使用含氟气体的蚀刻工序、所述保护膜形成工序及所述保护膜去除工序以此顺序重复进行。