[发明专利]半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201080035964.X | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102472678A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 山田宣幸;樱木正广;吉田武司;林启 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体压力传感器(720)包括对与薄壁区域(402)对应的半导体基板的部分赋予变形的薄膜压电元件(701)。薄膜压电元件(701)从具有作为变形计功能的扩散电阻(406、408、410、及412)隔开距离地形成，延伸设置到连接到薄膜压电元件的上部电极层的焊盘(716A)以及连接到下部电极层的焊盘(716F)附近为止。扩散电阻(406、408、410、及412)通过金属布线(722)和扩散布线(724)构成桥式电路。在自身诊断时，薄膜压电元件(701)上被施加规定电压。如果电压施加前后的桥式电路的输出差在规定的范围外，则判断为在半导体压力传感器(720)上产生了损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体压力传感器，包括：半导体基板，其具有薄壁区域和设置在所述薄壁区域周围的厚壁区域；至少一个变形计电阻，其形成在所述半导体基板的一主面上，使电阻值根据与所述薄壁区域对应的所述半导体基板部分的变形变化；以及至少一个薄膜压电元件，其形成在所述半导体基板上的、包含所述薄壁区域的至少一部分的区域中，具有下部电极层、压电层和上部电极层，所述至少一个薄膜压电元件形成在从所述至少一个变形计电阻隔开距离的区域中。
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