[发明专利]用于在基片上沉积材料薄膜的装置和用于该装置的再生方法有效

专利信息
申请号: 201080036143.8 申请日: 2010-06-17
公开(公告)号: CN102803579A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: J·维莱特;V·卡萨涅;C·谢 申请(专利权)人: 瑞必尔
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C23C14/56
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 吴鹏;马江立
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于在基片上沉积材料薄膜的装置以及一种再生方法。装置包括真空室(1)、布置在该真空室内的低温面板(10)、能够支承基片的样品保持件(6)、能够将气态先质注入真空室(1)的气体注射器(9)、连接至所述真空室(1)并能够捕集由所述低温面板(10)释放的气态先质的一部分的第一捕集装置(11),所述第一捕集装置(11)具有固定的抽吸能力S1。根据本发明,用于在基片上沉积材料薄膜的装置包括第二捕集装置(18),所述第二捕集装置(18)具有能够根据气态先质分压力而调节的可变的抽吸能力S2,第一和第二捕集装置提供了总抽吸能力S=S1+S2,该总抽吸能力足以使真空室(1)内的气态先质分压力维持在确定的压力PL下。
搜索关键词: 用于 基片上 沉积 材料 薄膜 装置 再生 方法
【主权项】:
一种用于在基片上沉积材料薄膜的装置,所述装置包括:真空室(1),布置在所述真空室(1)内的样品保持件(6),所述样品保持件(6)能够支承所述基片,能够将气态先质注入真空室(1)的气体注射器(9),所述气态先质的一部分能够在基片的表面处反应,至少一个低温面板(10),所述低温面板(10)布置在真空室(1)内并能够吸附所述气态先质的未在基片表面处反应的一部分且能够释放所述吸附的气态先质,连接至所述真空室(1)并能够捕集由所述低温面板(10)释放的所述气态先质的一部分的第一捕集装置(11),所述第一捕集装置(11)具有固定的抽吸能力S1,其特征在于,该装置包括:第二捕集装置(18),所述第二捕集装置(18)能够捕集由所述低温面板(10)释放的所述气态先质的另一部分,并具有能够根据气态先质分压力而调节的可变的抽吸能力S2,所述第一和第二捕集装置提供了总抽吸能力S=S1+S2,该总抽吸能力足以使真空室(1)内的气态先质分压力维持在确定的压力PL下。
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