[发明专利]特定波长的硅光发射结构

摘要

本发明涉及硅光发射器件(SiLED)，及其在当前的互补金属氧化物半导体(CMOS)中以及未来的绝缘体上硅(SOI)技术中的应用。依据本发明，基于硅的光发射器件被设计为通过雪崩载流子倍增来运行并且发射光，优选在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光，从而使其与CMOS氮化硅，氮氧化硅或聚合物波导技术兼容。这有利于各种电-光系统应用，例如电-光耦合器、到芯片上或自芯片的快速数据转换、各种光互连配置和各种片上传感器、流体和微光机电传感器应用。在特殊的操作条件下，特定波长的发射(例如更长的波长)可被实现，同时在其他情况下，可以获得对所发射的发射的调制。

主权项

一种基于硅的光发射器件，其通过雪崩载流子倍增来运行并且发射光，优选在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光，该器件包括具有高掺杂的第一区域的第一主体，第一区域同第二区域相接，第二区域具有更低的掺杂，并接着同更高地掺杂的第三区域相接，从而发生从第一区域到第三区域的载流子转移。