[发明专利]多模光纤有效
申请号: | 201080036256.8 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102625919A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 瓦伦丁·盖庞特瑟夫;迈克尔·弗亚特金;瓦伦丁·弗明;尼古拉·普拉特诺夫 | 申请(专利权)人: | IPG光子公司 |
主分类号: | G02B6/028 | 分类号: | G02B6/028;G02B6/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吕雁葭 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种整体光纤被构造成具有双瓶颈形多模(MM)纤芯,其能够在给定波长下实质上只支持基模,并具有相对的端区、从相应的端区向内延伸的锥台形状的转换器区和桥接所述转换器区的尺寸均匀的中心区。MM纤芯具有阶跃折射率分布,所述阶跃折射率分布被构造成具有居中的下凹,所述下凹具有沿光纤长度可变的宽度。下凹的宽度在MM纤芯的端区较小,以便只支持具有高斯分布的基模。随着下凹沿输入转换器区变大,其逐渐使高斯分布形成为基模的环分布,其沿MM纤芯的中心区被导引。下凹沿输出转变区逐渐变小,以便使环分布的形状回到从MM纤芯的输出端区辐射的基模的实质上的高斯分布。折射率分布具有掺杂一种或多种稀土元素的环区域,并被构造成实质上只是放大基模。 | ||
搜索关键词: | 光纤 | ||
【主权项】:
一种光纤,沿纵向光纤轴延伸且包括:以光纤轴为中心的至少一个包层;和细长的多模MM纤芯,与所述一个包层同心并被所述一个包层环绕,所述MM纤芯被构造成具有双瓶颈形截面,以便提供实质上只针对基模的激发和无失真导引。
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