[发明专利]光传感器、半导体器件和液晶面板无效
申请号: | 201080036495.3 | 申请日: | 2010-07-22 |
公开(公告)号: | CN102473792A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 织田明博;中泽淳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/136;G09F9/30;H01L27/14;H01L29/786 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄,也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。在基板(101)的一侧,设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130),该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p),并在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸。第一半导体层具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状。入射到遮光层的光发生漫反射后入射到第一半导体层。第一半导体层,因为具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状,所以发生漫反射的反射光在第一半导体层内前进的距离变长。其结果是,被第一半导体层吸收的光增加,光检测灵敏度上升。 | ||
搜索关键词: | 传感器 半导体器件 液晶面板 | ||
【主权项】:
一种光传感器,其特征在于,包括:基板;薄膜二极管,其设置在所述基板的一侧且具有至少包含n型区域和p型区域的第一半导体层;和遮光层,其设置在所述基板与所述第一半导体层之间,在所述遮光层的与所述第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸,所述第一半导体层具有沿着所述遮光层的所述凹凸的凹凸形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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