[发明专利]红外辐射微装置的外壳和制备所述外壳的方法有效
申请号: | 201080036733.0 | 申请日: | 2010-06-21 |
公开(公告)号: | CN102549749B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | W·赖纳特;J·昆策尔;S·蒂内斯;C·罗曼 | 申请(专利权)人: | 乌利斯股份公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 苗征,于辉 |
地址: | 法国沃雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 红外辐射微装置、所述装置的盖子和制备所述装置的方法,所述装置包括基底、盖子和红外辐射检测、发射或反射红外微单元,所述红外微单元置于由所述基底和所述盖子限定的空腔中,所述盖子包括抗反射表面纹理,以提高红外辐射透过率,其中在添加过程中在所述盖子的基底侧上和/或所述基底的盖子侧上形成的距离框架置于所述基底和所述盖子之间。 | ||
搜索关键词: | 红外 辐射 装置 外壳 制备 方法 | ||
【主权项】:
将红外辐射微单元(120,121)容置以提供晶圆级红外辐射微装置(100)的方法,外壳包括盖子(101)和基底(102)以及硅距离框架(140),所述方法包括以下步骤:‑以图案掩蔽所述盖子(101),以形成表面纹理,所述表面纹理用于以下目的之一:降低所述盖子(101)对于红外辐射的反射率,和增强所述盖子(101)对于红外辐射的透过率,‑蚀刻所述盖子(101)以创建具有所述表面纹理的区域(190,195),所述表面纹理包括隆起和/或凹陷,‑在所述盖子(101)的基底侧上提供硅距离框架(140),其中所述硅距离框架(140)通过以下方式提供:‑在包含表面纹理的盖子(101)上沉积非结构化TEOS层,从而也覆盖所述表面纹理,‑通过CVD在非结构化的TEOS层上沉积硅层,‑用限定硅距离框架(140)的图案掩蔽CVD沉积的硅层,‑蚀刻所述CVD沉积的硅层以提供硅距离框架(140),并‑去除所述硅距离框架(140)外的所述盖子(101)的非结构化TEOS层,暴露表面纹理;‑将所述基底(102)和所述盖子(101)与中间的所述距离框架(140)接合(380),这样所述基底(102)、所述盖子(101)和所述距离框架(140)形成空腔(116),容置基底(102)上的红外辐射微单元(120,121)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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