[发明专利]光传感器和显示装置无效
| 申请号： | 201080037467.3 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102484682A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 辻野幸生;中川阳介;前田和宏;白木一郎;杉山裕昭;桑原信弘 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/357 | 分类号： | H04N5/357;H01L27/146;G09G3/32;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 减少由馈通引起的存储节点的电位下降，由此使存储电容器的电容变小来谋求传感器灵敏度的提高。在光传感器中，在存储节点(N2)连接着存储电容器(C2)的第1端子和输出与存储节点(N2)的电位相应的信号的MOS晶体管(M1)的栅极。对第1光电二极管(DS)的阳极，在复位期间中提供正偏置的脉冲电压，另一方面，在存储期间和读出期间中提供逆偏置电压。对第2光电二极管(DM)的阳极，在全部的动作期间中提供逆偏置电压。对存储电容器的第2端子，在复位期间和存储期间中，提供将存储节点的电位保持在不足MOS晶体管(M1)的阈值的电压，另一方面，在读出期间中，提供使存储节点(N2)的电位上冲到MOS晶体管(M1)的阈值以上的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 显示装置 | ||
【主权项】：
一种光传感器，具备：第1光电二极管和第2光电二极管；存储节点，其与上述第1光电二极管和第2光电二极管的阴极分别连接；存储电容器，其第1端子与上述存储节点连接；以及MOS晶体管，其栅极与上述存储节点连接，输出与该存储节点的电位相应的信号，对上述第1光电二极管的阳极，在复位期间中提供正偏置的脉冲电压，另一方面，在存储期间和读出期间中提供逆偏置电压，对上述第2光电二极管的阳极，在全部的动作期间中提供逆偏置电压，对上述存储电容器的第2端子，在上述复位期间和上述存储期间中，提供将上述存储节点的电位保持在不足上述MOS晶体管的阈值的范围的电压，在上述读出期间中，提供使上述存储节点的电位上冲到上述MOS晶体管的阈值以上的范围的电压。
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