[发明专利]发光半导体装置有效
| 申请号： | 201080037476.2 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102484184A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | S·J·斯威尼 | 申请（专利权）人： | 萨里大学 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 发光半导体装置(401)具有由铋(Bi)和一种或多种其它V族元素形成的有源区(405)。在具体实施方式中，III-V材料除包括铋外，还包括砷化镓(GaAs)。在所述III-V材料中包含铋，减小了带隙，同时提高了该材料的自旋轨道分裂能量。当自旋轨道分裂能量超过带隙时，禁止俄歇复合过程，减小了发光半导体装置(401)随环境温度改变的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种发光半导体装置，所述发光半导体装置具有包括III‑V材料的有源区，所述III‑V材料包括铋和一种或多种其它V族元素，其中，所述材料中的铋原子与所述其它V族元素的原子的百分比处于3％至15％的范围中，并且使得所述材料的自旋轨道分裂能量大于所述材料的带隙能量。
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