[发明专利]超结型沟槽功率MOSFET器件的制造有效
| 申请号： | 201080037922.X | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103098219A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | Y·高;凯尔·特里尔;德瓦·帕塔纳亚克;K·陈;T·周;莎伦·石;Q·陈 | 申请（专利权）人： | 威世硅尼克斯 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于制造超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的方法。超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于p型掺杂物柱的上方，而在p沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于n型掺杂物柱的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 超结型 沟槽 功率 mosfet 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造超结型沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，所述超结型沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件具有第一型掺杂物的沟道，所述方法包括：形成第二型掺杂物的柱；在所述第二型掺杂物的柱的相对两侧上沉积氧化物层，以形成第一氧化物柱和第二氧化物柱；与所述第一氧化物柱相邻地形成所述第一型掺杂物的第一柱，并且与所述第二氧化物柱相邻地形成所述第一型掺杂物的第二柱，所述第二型掺杂物的柱与所述第一型掺杂物的第一柱和所述第一型掺杂物的第二柱通过所述第一氧化物柱和所述第二氧化物柱隔离开；以及在所述第一型掺杂物的第一柱与所述第一型掺杂物的第二柱之间并且在所述第二型掺杂物的柱的上方形成用于场效应晶体管的栅极元件。
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