[发明专利]包括铝-硅氮化物钝化的用于形成III-V半导体结构的方法无效
| 申请号： | 201080037985.5 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102484067A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | J·R·席利;R·布朗 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 杨颖;张一军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制作半导体结构的方法，包括把半导体层形成在基底上和把铝-硅氮化物层形成在半导体层上。当半导体层特别包括诸如第III族元素氮化物半导体材料或氮化镓半导体材料那样的III-V半导体材料时，与氮化硅材料相比较，铝-硅氮化物材料提供优越的钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 氮化物 钝化 用于 形成 iii 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体结构的方法，包括：在基底上形成半导体层；以及在至少一部分的半导体层上形成钝化层，其中所述钝化层包括钝化材料，该钝化材料具有约4.5到约6eV的带隙，在约1到约100GHz的频率下，该钝化材料具有约6 x 10‑11F/m到约8 x 10‑11F/m的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
