[发明专利]溅射靶用铜材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201080038093.7 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102482767A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥功;广濑清慈;仓桥和夫;中嶋章文;周伟铭 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm。I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4 …(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 靶用铜 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm，I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4 …(1)
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