[发明专利]可光图案化介电材料和配制剂及使用方法有效

专利信息
申请号: 201080038243.4 申请日: 2010-08-23
公开(公告)号: CN102482533A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: A·尼尔森;P·J·布洛克;R·苏里亚库马兰;B·戴维斯;R·D·米勒;R·D·艾伦;林庆煌 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D183/14;H01L21/312
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 彭立兵;林柏楠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及倍半硅氧烷聚合物、在负型可光图案化介电配制剂中的倍半硅氧烷聚合物、使用含有倍半硅氧烷聚合物的可光图案化介电配制剂的形成构件的方法和由倍半硅氧烷聚合物制造的构件。
搜索关键词: 图案 化介电 材料 配制 使用方法
【主权项】:
1.一种物质组合物,所述组合物包含:包含三种或四种结构式(1)、(2)、(3)、(4)的单体的倍半硅氧烷聚合物,其中,所述三种或四种单体之二为结构式(1)和(2);其中R1选自直链烷基、支化烷基、环烷基、芳族化合物、芳烃和酯部分组成的组;其中R2选自乙烯基、取代的乙烯基、乙炔基、取代的乙炔基和腈部分组成的组;其中R3选自直链烷基、支化烷基和环烷基部分组成的组;其中R4选自直链烷氧基、支化烷氧基、环烷氧基、乙酰氧基、羟基、甲硅烷基氧基和硅烷醇部分组成的组;并且其中m、n、o和p表示重复单元的摩尔百分含量(mol%),m+n+o+p等于或者大于约40mol%并且其中当仅存在三种单体时o或者p为零。
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