[发明专利]在等离子体处理系统内操控等离子体约束的装置及方法

摘要

在处理室内等离子体处理期间控制斜角蚀刻速率的装置。该装置包括功率源和气体分布系统。该装置还包括下电极，该下电极配置为至少支撑基板。该装置进一步包括位于该基板上方的顶部环形电极和位于该基板下方的底部环形电极。该装置还包括第一匹配装置，该第一匹配装置耦合到该顶部环形电极并配置为至少控制流经该顶部环形电极的电流以控制用于蚀刻至少部分基板顶部边缘的等离子体的量。该装置进一步包括第二匹配装置，该第二匹配装置配置为控制流经底部环形电极的电流以控制用于至少蚀刻至少部分基板底部边缘的等离子体的量。

主权项

在等离子体处理系统的处理室内等离子体处理期间控制斜角蚀刻速率的装置，其包括：功率源；气体分布系统；下电极，其中所述下电极配置为至少在所述等离子体处理期间支撑基板；顶部环形电极，其位于所述基板上方；底部环形电极，其位于所述基板下方；第一匹配装置，其中所述第一匹配装置耦合到所述顶部环形电极，所述第一匹配装置配置为至少控制流经所述顶部环形电极的电流以控制用于蚀刻至少部分所述基板顶部边缘的等离子体的量；第二匹配装置，其中所述第二匹配装置配置为控制流经所述底部环形电极的所述电流以控制用于至少蚀刻至少部分所述基板底部边缘的等离子体的量。