[发明专利]多晶硅和硅烷装置中的废气回收系统无效
| 申请号： | 201080038791.7 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102481517A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | S·加德雷;M·R·科苏里 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;B01D71/00;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 唐秀玲;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 纯化SiHCl3和/或SiCl4用作越过用于接收来自多晶硅反应器的废气的气体分离膜渗透物侧的吹扫气体。结合的吹扫气体和渗透物再循环至反应器中。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅烷 装置 中的 废气 回收 系统 | ||
【主权项】：
一种使在多晶硅或硅烷生产期间产生的废气再循环的方法，其包括如下步骤：将来自提纯装置、STC转炉和/或多晶硅沉积反应器的包含至少SiHCl3、SiCl4、HCl和H2的废气送入冷凝器中以产生冷凝物和非冷凝物，冷凝物主要包含SiHCl3和SiCl4，非冷凝物包含主要量的H2，次要量的包含SiHCl3、SiCl4的氯硅烷，和次要量的HCl；将非冷凝物送入压缩机中，然后送入包含至少一个气体分离膜的气体分离装置中；将包含SiHCl3或SiCl4的吹扫气体送入膜的渗透物侧；回收来自渗透物侧的再循环气体，再循环气体包含渗过膜的来自非冷凝物的H2和来自吹扫气体的SiHCl3或SiCl4；和将再循环气体送入氢氯化反应器、STC转炉和/或沉积反应器中。
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