[发明专利]膜厚测定装置及膜厚测定方法有效
| 申请号： | 201080038809.3 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102483320A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 大塚贤一;中野哲寿;渡边元之 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 膜厚测定装置(1A)包括：测定光源(28)，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15)；分光光学系统(30)及光检测器(31)，其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度；以及膜厚解析部(40)，其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形，求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值，并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此，实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法，其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量，也可高精度地测定该膜厚变化量。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种膜厚测定装置，其特征在于，是测定具有第1面及第2面的膜状的测定对象物的膜厚的时间变化的膜厚测定装置，包括：测定光源，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至所述测定对象物；检测单元，其针对每个波长检测来自所述测定对象物的所述第1面的所述测定光的反射光、及来自所述第2面的所述测定光的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度；以及膜厚解析单元，其求出所述测定对象物的膜厚的时间变化，所述膜厚解析单元根据在所述检测单元中在彼此不同的两个以上的时刻所检测出的所述输出光的各光谱波形，求出来自所述第1面的所述反射光与来自所述第2面的所述反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的所述峰值波长的间隔的数值，并根据所述峰值波长或相当于相邻的所述峰值波长的间隔的数值的时间变化求出所述测定对象物的膜厚的时间变化。
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