[发明专利]用氟化两性化合物处理碳酸盐含烃地层的方法有效

专利信息
申请号: 201080038830.3 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN102482568A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 鲁道夫·J·达姆斯;史蒂文·J·马丁;吴永康 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C09K8/60 分类号: C09K8/60;C09K8/80;E21B43/26
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张爽;樊卫民
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及处理碳酸盐含烃地层的方法。所述方法包括使所述含烃地层与包含溶剂和氟化两性化合物的组合物接触。本发明还公开了根据所述方法处理的碳酸盐含烃地层。
搜索关键词: 氟化 两性 化合物 处理 碳酸盐 地层 方法
【主权项】:
1.一种处理含烃地层的方法,所述方法包括:使所述含烃地层与包含溶剂和氟化两性化合物的处理组合物接触,其中所述含烃地层包括碳酸盐,并且其中所述氟化两性化合物选自:(b)Rf-Q-Z(c)包含以下二价单元的化合物:由表示的第一二价单元和由式表示的第二二价单元;以及(d)它们的组合;其中Rf独立地为具有最多至10个碳原子的氟烷基或者为多氟聚醚基团;每个Rf1独立地为具有最多至10个碳原子的氟烷基或者为多氟聚醚基团;X为-SO2-或-C(O)-;Y为-N(R)2、-N+(R)3或-N+(R)3A-,其中A-为抗衡阴离子;Y′为-P(O)(OM)2、-O-P(O)(OM)2、-SO3M、-O-SO3M或-CO2M,其中M为氢、抗衡阳离子、游离阴离子或连接至所述含烃地层的键;每个Q独立地为-SO2-N(R′)-W-、-C(O)-N(R′)-W-、亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选被-O-、-S-、-SO2-或-C(O)-中断;每个W独立地为亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选被-O-或-S-中断并任选被羟基取代;Z为-N+(R)2-V-SO3M或-N+(R)2-V-CO2M,其中M为氢、抗衡阳离子、游离阴离子或连接至所述含烃地层的键;每个V独立地为亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选被-O-或-S-中断并任选被羟基取代;每个R独立地为氢、烷基或芳基,其中烷基可任选被-O-中断或被羟基或芳基取代,或者两个R基团与它们所连接的N原子合在一起可形成具有最多至六个碳原子并任选包含-O-或-S-的杂环;R′为氢、芳基或具有最多至6个碳原子的烷基;每个R1独立地为氢或甲基;并且每个Q1独立地为-O-、-S-或-N(R″)-,其中R″为氢或具有最多至6个碳原子的烷基。
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