[发明专利]半导体集成电路以及接收装置无效
申请号: | 201080038997.X | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN102598517A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 八岛公纪 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
主分类号: | H04B1/26 | 分类号: | H04B1/26;H04B1/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;郭凤麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 接收装置具有:接收来自调谐电路的第一频带的电波的第一接收电路;包含第一放大部,接收频率比第一频带低的第二频带的电波的第二接收电路;在接收第一频带的电波的第一选择状态下,生成提供给调谐电路的调谐电压,在接收第二频带的电波的第二选择状态下,生成提供给第一放大部的偏置电压的电压生成单元。电压生成单元具有生成调谐电压以及偏置电压,向输出路径输出的电压生成部、和在第二选择状态下将输出路径切换到第一放大部侧的切换电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 以及 接收 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,其特征在于,具有:第一接收电路,其接收来自调谐电路的第一频带的电波;第二接收电路,其包含第一放大部,接收频率比所述第一频带低的第二频带的电波;以及电压生成单元,其在接收所述第一频带的电波的第一选择状态下,生成提供给所述调谐电路的调谐电压,在接收所述第二频带的电波的第二选择状态下,生成提供给所述第一放大部的偏置电压,所述电压生成单元具有:生成所述调谐电压以及所述偏置电压,向输出路径输出的电压生成部、和在所述第二选择状态下将所述输出路径切换到所述第一放大部侧的切换电路。
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