[发明专利]消光整理聚酰亚胺薄膜及其相关方法有效
| 申请号： | 201080039588.1 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102482436A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | T·E·卡内;J·M·巴尔托灵;M·L·邓巴 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C08J5/00 | 分类号： | C08J5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及基膜，所述基膜具有8至152微米的厚度、2至35的60度光泽度值、大于或等于2的光密度和大于1400伏/密耳的介电强度。所述基膜包含以所述基膜的63重量％至96重量％的量存在的化学转化的(部分或全部为芳族的)聚酰亚胺。所述基膜还包含颜料和消光剂。所述消光剂以所述基膜的1.6重量％至10重量％的量存在，其具有1.3至10微米的中值粒度并且具有2至4.5g/cc的密度。所述颜料以所述基膜的2重量％至35重量％的量存在。本公开还涉及表护层薄膜，所述表护层薄膜包括与粘合剂层结合的所述基膜。 | ||
| 搜索关键词： | 整理 聚酰亚胺 薄膜 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
基膜，所述基膜包含：A.化学转化的聚酰亚胺，其量为所述基膜的63重量％至96重量％，所述化学转化的聚酰亚胺衍生自：a.基于所述聚酰亚胺的总二酐含量至少50摩尔％的芳族二酐，和b.基于所述聚酰亚胺的总二胺含量至少50摩尔％的芳族二胺；B.颜料，其不是炭黑，所述颜料以所述基膜的2重量％至35重量％的量存在；和C.消光剂，所述消光剂：a.以所述基膜的1.6重量％至10重量％的量存在，b.具有1.3至10微米的中值粒度，并且c.具有2至4.5g/cc的密度。
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