[发明专利]显示装置和包括显示装置的电子设备有效
申请号: | 201080039655.X | 申请日: | 2010-09-24 |
公开(公告)号: | CN102576734A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;三宅博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路,在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体,并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此,即使在显示静止图像的情况下,也能容易地执行稳定的操作。此外,可以延长驱动器电路的操作间隔,这使得显示装置的功耗降低。而且,在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光,由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 包括 电子设备 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:电源线;发光元件,该发光元件被配置为接收来自所述电源线的功率;第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管用于电连接所述电源线和所述发光元件;信号线,该信号线用于供给视频信号;第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管用于电连接所述信号线和所述第一薄膜晶体管的栅极;其中,所述第二薄膜晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体层,所述氧化物半导体层具有大于或等于2eV的带隙和小于或等于5×1019/cm3的氢浓度,以及其中,所述第二薄膜晶体管被配置为将第一薄膜晶体管保持在导通状态并且将所述电源线连接至所述发光元件以显示静止图像,在所述第二薄膜晶体管中,每1μm的沟道宽度的断态电流被抑制至小于或等于1×10‑16A/μm。
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