[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080039791.9 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102484069A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 箕谷周平;中野佑纪;渡部平司;志村考功;细井卓治;桐野嵩史 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对碳化硅基板以及氧化硅膜进行退火的工序；在碳化硅基板以及氧化硅膜的退火后，在氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对所述碳化硅基板以及所述氧化硅膜进行退火的工序；和在所述碳化硅基板以及所述氧化硅膜的退火后，在所述氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
