[发明专利]硅氧化物及锂离子二次电池用负极材料无效
| 申请号： | 201080039819.9 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102484248A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 木崎信吾;菅野英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅氧化物，其特征在于，其是用于锂离子二次电池的负极活性物质中的以SiOx所示的粉末状的硅氧化物，使用具备作为光源的封入型光源、作为检测器的高速检测器的X射线衍射装置进行测定时，在20°≤2θ≤40°处检测到耙峰，在石英的最强线位置检测到峰，上述耙峰的高度P1和上述石英的最强线位置的峰的高度P2满足P2/P1≤0.05。通过利用该硅氧化物作为负极活性物质，能够得到具有稳定的初期效率及循环特性的锂离子二次电池。上述SiOx的x优选为0.7＜x＜1.5。此外，锂离子二次电池用负极材料含有20质量％以上该硅氧化物作为负极活性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 锂离子 二次 电池 负极 材料 | ||
【主权项】：
一种硅氧化物，其特征在于，其是用于锂离子二次电池的负极活性物质中的以SiOx所示的粉末状的硅氧化物，使用具备作为光源的封入型光源、作为检测器的高速检测器的X射线衍射装置进行测定时，在20°≤2θ≤40°处检测到来自SiOx的宽峰，在石英的最强线位置检测到峰，并且所述来自SiOx的宽峰的高度P1和所述石英的最强线位置的峰的高度P2满足P2/P1≤0.05。
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