[发明专利]具有曲率控制层的III族氮化物发光装置无效
| 申请号： | 201080039997.1 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102484178A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | L.T.罗马诺;P.P.德布;A.Y.金;J.F.克丁 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/16;H01L33/32;H01L21/02;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢建云;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体结构包含布置在n型区(22)和p型区(26)之间的III族氮化物发光层(24)。该半导体结构进一步包含生长在第一层(23)上的曲率控制层(25)。该曲率控制层布置在n型区和第一层之间。该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数。该第一层为基本上单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 曲率 控制 iii 氮化物 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包含：半导体结构，该半导体结构包含： 布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层；以及 生长在第一层上的曲率控制层，其中： 该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数； 该第一层为基本上单晶层；以及 该曲率控制层布置在该n型区和该第一层之间。
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