[发明专利]提供自旋转移矩随机存取存储器的层级数据路径的方法和系统有效
| 申请号： | 201080040444.8 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102483956A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | A.E.翁格 | 申请（专利权）人： | 格兰迪斯股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/08 | 分类号： | G11C19/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李琳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于提供磁存储器的方法和系统。所述方法和系统包括提供存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线、全局字线和全局电路。每个MAT包括磁存储单元、位线和字线。磁存储单元中的每一个包括至少一个磁元件和至少一个选择器件。磁元件能够使用通过磁元件驱动的写电流进行编程。位线和字线对应于磁存储单元。中间电路控制MAT内的读操作和写操作。每个全局位线对应于多个MAT的第一部分。每个全局字线对应于多个MAT的第二部分。全局电路选择并驱动全局位线的部分以及全局字线的部分以进行读操作和写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 自旋 转移 随机存取存储器 层级 数据 路径 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种磁存储器，包括：多个存储阵列片(MAT)，所述多个MAT中的每一个包括多个磁存储单元、多个位线和多个字线，所述多个磁存储单元中的每一个包括至少一个磁元件和至少一个选择器件，所述至少一个磁元件能够使用通过所述至少一个磁元件驱动的至少一个写电流进行编程，所述多个位线和所述多个字线对应于所述多个磁存储单元；中间电路，用于控制所述多个MAT内的读操作和写操作；多个全局位线，所述全局位线中的每一个对应于所述多个MAT的第一部分；多个全局字线，所述全局字线中的每一个对应于所述多个MAT的第二部分；以及全局电路，用于选择和驱动所述多个全局位线的部分以及所述多个全局字线的部分以进行读操作和写操作。
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