[发明专利]多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201080040911.7 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102498063A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 祢津茂义;小黑晓二;清水孝明;黑泽靖志;久米史高 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 系统 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制造系统，其特征在于，具备：多晶硅制造用的反应炉，储存冷却介质的冷却介质罐，将冷却介质从所述冷却介质罐供给到所述反应炉中、并且经由设置在所述反应炉中的冷却介质流路部回收到所述冷却介质罐中的冷却介质循环路径，和将回收到所述冷却介质罐中的冷却介质的一部分取出而用于能量回收的能量回收部；并且使用温度高于标准沸点的热水作为供给到所述反应炉中的冷却介质，由所述能量回收部将使该热水气化而得到的蒸汽取出，在通过使所述热水在所述反应炉内循环而将所述反应炉的炉内侧表面温度控制在400℃以下的同时，进行多晶硅的制造。
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