[发明专利]双电介质三栅极场效晶体管有效
| 申请号： | 201080041318.4 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102498569A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | J·斯莱特;J·常;L·常;C-H·林 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种双电介质三栅极场效晶体管、双电介质三栅极场效晶体管的制造方法以及操作双电介质三栅极场效晶体管的方法。在一个实施例中，双电介质三栅极晶体管包括衬底、衬底上的绝缘层以及至少一个半导体鳍。第一电介质具有第一介电常数并且在该鳍的侧壁之上延伸，并且金属层在该第一电介质之上延伸。第二电介质具有第二介电常数并且位于该鳍的顶部表面上。栅极电极在鳍与第一和第二电介质之上延伸。栅极电极与第一电介质层形成具有阈值电压Vt1的第一和第二栅极，并且栅极电极与第二电介质层形成具有与Vt1不同的阈值电压Vt2的第三栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双电介质三栅极场效晶体管，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述衬底上；至少一个半导体鳍，在所述绝缘层上并且从所述绝缘层向上延伸，所述鳍包括第一侧壁和第二侧壁以及顶部表面；第一电介质层，具有第一介电常数并且在所述鳍的所述第一侧壁和第二侧壁之上延伸；金属层，在所述第一电介质层之上延伸；第二电介质层，具有与所述第一介电常数不同的第二介电常数并且在所述鳍的所述顶部表面上；以及栅极电极，在所述鳍与所述第一电介质层和第二电介质层之上延伸，其中所述栅极电极与所述第一电介质层形成具有阈值电压Vt1的第一栅极和第二栅极，并且所述栅极电极与所述第二电介质层形成具有与Vt1不同的阈值电压Vt2的第三栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080041318.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种校正质谱仪器和/或分子质量的方法
- 下一篇：一种阳极铜中金含量的测定方法
- 同类专利
- 专利分类
