[发明专利]电流沿横向流动的电子器件用外延基板及其生产方法有效
| 申请号： | 201080041478.9 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102498547A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 生田哲也;日野大辅;坂本陵;柴田智彦 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/338;H01L21/66;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用横向作为电流传导方向的电子器件用外延基板，其中可非接触地精确测量HEMT薄层电阻。还提供一种用于有效制造电子器件用外延基板的方法，其特征在于包括在高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散抑制层的步骤，在前述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层的步骤，通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来制备外延基板的步骤，以及非接触测量所述外延基板的主层压体的电阻的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 横向 流动 电子器件 外延 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种生产电子器件用外延基板的方法，其包括以下步骤：在高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散阻挡层；在所述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层；通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来生产外延基板；和非接触测量所述外延基板的所述主层压体的电阻，其中横向为所述外延基板中的电流流动方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同和电子科技有限公司，未经同和电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080041478.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
