[发明专利]使用脉冲序列退火方法将薄膜固相再结晶的方法有效
申请号: | 201080041583.2 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN102498552A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·莫法特;阿伦·缪尔·亨特;布鲁斯·E·亚当斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供使用多个电磁能量脉冲将薄膜固相再结晶的方法。在一个实施例中,可使用本发明方法通过将多个能量脉冲传递至结晶晶种区域或层来退火整个基板表面或基板表面的选择区域以再结晶非晶层,其中在结晶晶种区域或层上沉积有所述非晶层,使得所述非晶层具有如下方结晶晶种区域或层的相同晶粒结构及晶体定向。 | ||
搜索关键词: | 使用 脉冲 序列 退火 方法 薄膜 再结晶 | ||
【主权项】:
一种将沉积在基板上的层相转变的方法,所述方法包含:在所述基板上沉积绝缘层;在所述绝缘层的期望区中形成晶种区域,所述晶种区域具有呈第一相结构的第一材料;在所述绝缘层的至少一部分和所述晶种区域上沉积具有第二相的第一材料层;以及使用该晶种区域作为一晶种,朝向所述晶种区域的表面引导多个电磁能量脉冲维持一段足以再结晶及转化所述第一材料层的时间,其中所述晶种区域的所述表面上沉积有所述第一材料层,以使所述第一材料层自所述第二相结构转为所述第一相结构并具有如下方所述晶种区域的相同晶粒结构及晶体定向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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