[发明专利]读取及使用存储器单元的方法有效

专利信息
申请号: 201080041969.3 申请日: 2010-08-18
公开(公告)号: CN102498521A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·S·桑胡 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/32;G11C16/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一些实施例包含读取存储器单元的方法。所述存储器单元具有仅在施加足够绝对值的电压达足够持续时间的情况下发生的写入操作;且以具有太短的持续时间而不足以用于所述写入操作的脉冲来实施所述读取。在一些实施例中,用于所述读取的所述脉冲可具有大于或等于用于所述写入操作的所述电压的电压绝对值。在一些实施例中,所述存储器单元可包括非欧姆装置;例如忆阻器及二极管。
搜索关键词: 读取 使用 存储器 单元 方法
【主权项】:
一种读取存储器单元的方法,其包括:提供具有频率相依写入操作的存储器单元;及以比所述写入操作的最大频率快至少一数量级的频率读取所述存储器单元。
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