[发明专利]具有铜插塞的半导体器件无效
| 申请号： | 201080041972.5 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102511078A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | M·G·法鲁克;E·R·金瑟;I·D·梅尔维尔;K·W·赛姆科 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其中绝缘层具有与所述器件的最终布线层接触的铜插塞。还存在阻挡层以将所述铜插塞与所述绝缘层分离。在另一实施例中，还存在位于所述绝缘层和铜插塞之间的铝层。还公开了一种用于制造所述半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 铜插塞 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底(12)，具有多个布线层，其中最终布线层(14)包括导电材料；绝缘层(20)，形成在所述最终布线层上，所述绝缘层具有在其中形成的过孔开口(38)以暴露所述最终布线层中的所述导电材料；阻挡层(30)，形成在所述过孔开口中；以及铜插塞(28)，形成在所述阻挡层上且填充所述过孔开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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