[发明专利]Li和Ni共掺杂的ZnO中的稳定P型半导体特征有效
| 申请号： | 201080041994.1 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102549780A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | M·S·拉马钱德拉·劳;E·森蒂尔·库马 | 申请（专利权）人： | 印度马德拉斯理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 印度泰*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于生长具有低电阻率和高迁移率的稳定p型ZnO薄膜的方法。该方法包括在靶室中提供n型Li-Ni共掺杂的ZnO靶，在所述靶室中提供基板，并且烧蚀所述靶以在所述基板上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | li ni 掺杂 zno 中的 稳定 半导体 特征 | ||
【主权项】：
一种用于生长稳定p型锂(Li)和过渡金属共掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜的方法，所述方法包括：在靶室中提供Li和过渡金属共掺杂的ZnO靶；在所述靶室中提供基板；和烧蚀所述靶以在所述基板上形成薄膜。
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