[发明专利]用于聚焦场发射的碳纳米管阵列有效
| 申请号： | 201080041998.X | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102498539A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 德彼坡罗萨德·罗伊·马哈帕特拉 | 申请（专利权）人： | 印度科学院 |
| 主分类号： | H01J1/46 | 分类号： | H01J1/46;H01J1/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 印度卡*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | 本发明提供了用于场发射装置的系统和方法。碳纳米管阵列以可变高度分布设置在阴极基底上。设置阳极以加速向着X射线板发射的电子。电压供给至碳纳米管阵列以引起电子的发射。尖角高度分布可以为线性的或抛物线形的，所述可变高度分布的峰值高度可以出现在碳纳米管阵列的中心中。侧栅极还可以邻近碳纳米管阵列设置，以提供改善的电子发射和聚焦控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 聚焦 发射 纳米 阵列 | ||
【主权项】：
一种场发射装置，包括：阴极，该阴极由基底和以可变高度分布设置在所述基底上的碳纳米管阵列构成，其中所述可变高度分布包括从所述可变高度分布的边缘到中心的递增；和分段式束控制机构，形成在所述基底上并由多个束控制分段构成，所述多个束控制分段用于改变从碳纳米管阵列发射的电子的轨迹。
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