[发明专利]具有渐变帽盖层的能图案化低K电介质互连结构体和制造方法有效
申请号: | 201080042435.2 | 申请日: | 2010-08-23 |
公开(公告)号: | CN102549736A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 林庆煌;D.A.诺伊迈耶 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了互连结构体,其包括至少一种位于图案化渐变帽盖层(14)的表面上的图案化并固化的低k材料(18’,22’)。该至少一种固化并图案化的低k材料和该图案化渐变帽盖层各自具有嵌入其中的导电填充区域(26)。该图案化并固化的低k材料为以下物质的固化产物:官能化聚合物、共聚物、或者包括具有一个或多个酸敏能成像基团的聚合物和/或共聚物的任意组合的至少两种的共混物,且该渐变帽盖层包括用作阻挡区域的下部区域和具有永久性抗反射涂层的抗反射性质的上部区域。 | ||
搜索关键词: | 具有 渐变 盖层 图案 电介质 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种互连结构体,所述互联结构体包含:至少一种图案化并固化的低k材料,所述至少一种图案化并固化的低k材料直接位于图案化渐变帽盖层的表面上,其中所述至少一种图案化并固化的低k材料和所述图案化渐变帽盖层各自具有嵌入其中的导电填充区域,其中所述图案化并固化的低k材料是能图案化组合物的固化产物,该能图案化组合物包含官能化聚合物、共聚物、或者共混物,所述共混物包括具有一个或多个光敏/酸敏能成像基团的聚合物和/或共聚物的任意组合的至少两个,且所述渐变帽盖层包括用作阻挡区域的下部区域和具有永久性抗反射涂层的性质的上部区域,其中所述下部区域和所述上部区域通过至少一个中间区域分开。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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