[发明专利]包含介电层的低辐射率玻璃及其制备方法有效
| 申请号： | 201080042594.2 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102548923A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 田允淇;裴一骏 | 申请（专利权）人： | 乐金华奥斯株式会社 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 苏萌;钟守期 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低辐射率玻璃，其包括含有导电金属的低辐射率层以及在所述低辐射率层一侧或两侧形成的复合金属氧化物，所述复合金属氧化物可以用以下式1表示：TiCeOx(1)，其中Ti是钛元素，Ce是铈元素，Ox是氧化物。由于用于保护低辐射率玻璃的低辐射率层并且减少辐射的介电层包含由上述式1表示的复合金属氧化物，可见光透射率可以大幅增加且具有良好的低辐射率。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 介电层 辐射 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低辐射率玻璃，包含：含有导电金属的低辐射率层；以及在所述低辐射率层一侧或两侧形成的复合金属氧化物，可以用以下化学式1表示：[化学式1]TiCeOX其中Ti是钛元素，Ce是铈元素，Ox是氧化物。
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