[发明专利]碳化硅晶锭、碳化硅衬底及其制造方法、坩锅以及半导体衬底无效
| 申请号： | 201080042620.1 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102549715A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信;原田真;西口太郎;冲田恭子;井上博挥;并川靖生;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶锭(10a，10b，10c，10d)，包括：具有四个边的底面(12a)，从所述底面(12a)沿着与所述底面(12a)的延伸方向相交的方向延伸的四个侧面(12b，12c，12d，12e)；以及生长面(12f)，所述生长面(12f)与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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