[发明专利]屏蔽栅极MOSFET中的屏蔽接触

摘要

一种包括有源区的半导体结构，该有源区包括延伸至半导体区的沟槽。各个沟槽包括屏蔽电极和栅电极。该半导体结构还包括邻近有源区的屏蔽接触区。该屏蔽接触区包括延伸至半导体区的至少一个接触沟槽。屏蔽电极从有源区中的至少一个沟槽沿着接触沟槽的长度延伸。该半导体结构还包括在有源区和屏蔽接触区上方延伸的互连层。在有源区中，互连层通过电介质层与各个沟槽中的栅电极隔离并且与邻近沟槽的半导体区的台面表面接触。在屏蔽接触区中，互连层接触屏蔽电极以及邻近接触沟槽的半导体区的台面表面。

主权项

一种半导体结构，包括：有源区，包括延伸至半导体区的沟槽，各个沟槽包括在所述沟槽底部的屏蔽电极、位于所述屏蔽电极上方在所述沟槽顶部的栅电极以及在所述屏蔽电极与所述栅电极之间延伸的电极间电介质层；屏蔽接触区，邻近所述有源区，所述屏蔽接触区包括延伸至所述半导体区的至少一个接触沟槽，其中，所述屏蔽电极从所述有源区中的至少一个所述沟槽沿着所述接触沟槽的长度延伸；以及互连层，在所述有源区和所述屏蔽接触区上方延伸，其中，在所述有源区中，所述互连层通过电介质层与各个所述沟槽中的所述栅电极隔离，所述互连层与邻近所述沟槽的所述半导体区的台面表面接触，并且在所述屏蔽接触区中，所述互连层与邻近所述接触沟槽的所述半导体区的所述台面表面和所述屏蔽电极接触。