[发明专利]使用结合选择性外延生长的混合定向技术(HOT)提高迁移率的方法及相关设备

摘要

本发明涉及一种半导体设备，其包括第一衬底(102、202)及第二衬底(106、206)，所述第二衬底位于所述第一衬底的第一部分上且通过掩埋层(104、204)与所述第一衬底分隔。所述半导体设备还包括外延生长层(108、220)，所述外延生长层位于所述第一衬底的第二部分上且与所述第二衬底隔离。所述半导体设备进一步包括至少部分地形成在所述第二衬底中的第一晶体管(116)及至少部分地形成在所述外延生长层中或上的第二晶体管(128)。所述第二衬底及所述外延生长层具有带有不同的电子及空穴迁移率的体性质。所述晶体管中的至少一者经配置以接收至少约5V的一个或一个以上信号。所述第一衬底可具有第一结晶定向，且所述第二衬底可具有第二结晶定向。

主权项

1.一种半导体设备，其包含：第一衬底；第二衬底，其位于所述第一衬底的第一部分上且通过掩埋层与所述第一衬底分隔；第一晶体管，其至少部分地形成在所述第二衬底中；外延生长层，其位于所述第一衬底的第二部分上且与所述第二衬底隔离；罩盖，其位于所述外延生长层上，但其中所述第二衬底上没有任何罩盖；及第二晶体管，其至少部分地在所述罩盖中及在所述外延生长层上；其中所述第二衬底及所述外延生长层具有带有不同的电子及空穴迁移率的体性质；且其中所述晶体管中的至少一者经配置以接收至少约5V的一个或一个以上信号。