[发明专利]具有氧扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080043105.5 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102549755A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | M·M·乔德哈里;J·K·谢弗 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于制造晶体管的方法和装置。晶体管包括覆盖半导体材料(104，106，108，110)的栅极叠层(142，144，146)。栅极叠层包括覆盖半导体材料的沉积氧化物层(126)，覆盖沉积氧化物层的氧扩散阻挡层(128)，覆盖氧扩散阻挡层的高k电介质层(134)；以及覆盖高k电介质层的吸氧导电层(138)。氧扩散阻挡层阻止从沉积氧化物层到吸氧导电层的氧扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 有氧 扩散 阻挡 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，具有位于半导体材料上的栅极叠层，所述栅极叠层包括：位于所述半导体材料上的沉积氧化物层；位于所述沉积氧化物层上的氧扩散阻挡层，所述氧扩散阻挡层阻止氧扩散；位于所述氧扩散阻挡层上的高k电介质层；以及位于所述高k电介质层上的吸氧导电层。
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