[发明专利]通过单体真空沉积和聚合获得的静电荷耗散材料无效

专利信息
申请号: 201080043466.X 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN102549210A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: B·比斯比斯;I·V·布莱特索斯;N·S·布拉布斯 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: D06M10/02 分类号: D06M10/02;D06M10/08;D06M13/256;D06M15/263;D06M15/21;A41D13/008;A41D31/00;B05D7/24;C08J7/18;D21H19/16;H05K9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王伦伟;李炳爱
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及制备静电荷耗散材料的方法,所述方法包括以下步骤:(a)任选地在等离子场中预处理基底;(b)将至少一种单体和至少一种吸湿添加剂闪蒸到真空室中以产生蒸气;(c)冷凝所述基底上的所述蒸气,从而在所述基底上生成由所述单体和所述吸湿添加剂涂层构成的膜;以及(d)固化所述膜的所述单体,从而在所述基底上生成包含吸湿添加剂的聚合物层;其中所述冷凝步骤是在将所述聚合物层限制为约3.0μm的最大厚度的蒸气密度和停留时间条件下进行的。所述静电荷耗散材料可用于保护静电敏感电子元件。
搜索关键词: 通过 单体 真空 沉积 聚合 获得 静电荷 耗散 材料
【主权项】:
一种制备静电荷耗散材料的方法,包括以下步骤:(a)任选地在等离子场中预处理基底;(b)将至少一种单体和至少一种吸湿添加剂闪蒸到真空室中以产生蒸气;(c)在所述基底上冷凝所述蒸气,从而在所述基底上生成由所述单体和所述吸湿添加剂涂层构成的膜;以及(d)固化所述膜的所述单体,从而在所述基底上生成包含吸湿添加剂的聚合物层;其中所述冷凝步骤是在将所述聚合物层限制为约3.0μm的最大厚度的蒸气密度和停留时间条件下进行的。
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