[发明专利]用于离子源组件清洗的方法有效
| 申请号： | 201080043549.9 | 申请日： | 2010-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102549705A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | A.辛哈;S.M.坎珀;L.A.布朗 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/16;H01J37/08;C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张萍;李炳爱 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明部分涉及一种用于清洗在半导体和微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件的方法。所述离子源组件包括电离室和所述电离室内所容纳的一个或多个组件。所述电离室的内部和/或所述电离室内所容纳的所述一个或多个组件在其上具有如碳硼烷(C2B10H12)的掺杂气体内所含元素的至少一些沉积物。所述方法涉及将清洗气体引入至电离室中，以及在足以从电离室的内部和/或从电离室内所容纳的一个或多个组件上去除沉积物的至少一部分的条件下，使清洗气体与沉积物反应。所述清洗气体为F2、选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体和任选O2的混合物，或含氧/氟气体和选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体的混合物。沉积物不利地影响离子注入机的正常操作，导致频繁停工时间和降低工具利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子源 组件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于清洗离子注入机的离子源组件的方法，其中所述离子源组件包括电离室和所述电离室内所容纳的一个或多个组件，并且其中所述电离室的内部和/或所述电离室内所容纳的所述一个或多个组件在其上具有掺杂气体内所含元素的至少一些沉积物，所述方法包括：将清洗气体引入至所述电离室中，所述清洗气体包含F2、选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体和任选O2的混合物，或含氧/氟气体和选自稀有气体和/或氮气的一种或多种惰性气体的混合物；和在足以从所述电离室的内部和/或从所述电离室内所容纳的所述一个或多个组件上去除所述沉积物的至少一部分的条件下，使所述清洗气体与所述沉积物反应。
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